新一代高性能激光浮区法单晶炉上海润洽公司推出的激光浮区法单晶生长系统采用先进设计理念,新一代高性能激光浮区炉具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能,将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度!

应用领域

可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。

激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。

● 采用全新五束激光设计,确保熔区能量分布更加均匀
● 更加科学的激光光斑优化方案,有助于降低晶体生长过程中的热应力
● 采用了独特的实时温度集成控制系统

加热类型: 5束激光
激光功率 3KW
熔区温度 2700℃ ~ 3000℃
测温范围 1000℃ ~ 2700℃
温度稳定性 +/-1℃
晶体生长设计长度可达 150mm
晶体生长设计直径可达 10mm
晶体生长速度/转速可达 300mm/hr; 100rpm
样品腔可施加压力可达 300 bar
样品腔气氛 多种气路(O2/Ar/混合气等)可供选配
晶体生长监控 高清摄像头
晶体生长控制 单片机控制
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